第一章　常用半导体器件测试

第一章　常用半导体器件测试

判断题

1－1　温度升高时，三极管的I_CBO和I_CEO增大，规律为每10℃增加一倍。对　错

1－2　硅管和锗管的β，I_CBO和U_BE对温度的变化规律是相同的。对　错

1－3　温度升高，NPN型三极管的输入特性向右偏移。
对错

1－4　温度升高，NPN型三极管的输出特性向上移。
对错

1－5　温度升高，PNP型三极管的输出特性向下移。
对　错

1－6　三极管只有测得U_BE>U_CE才工作在放大区。对　错

1－7　当测得U_BE等于电源电压时，此三极管一定形截止。
对　错

1－8　当测得三极管的集电极电流I_C>I_CM集电极的最大允许电流管子将发生热击穿而损坏。对　错

1－9　NPN型三极管有两个N型区，可互相对换使用，即将集电极当发射极使用，发射极当集电极使用。对　错

1－10　场效应管的最大优点是输入电阻高。对　错

1－11　结型场效应管漏极和源极互换使用，仍有正常放大作用。对　错

1－12　NPN型三极管集电区与发射区均为N型半导体，所以集电极与发射极互换使用，仍有较大的电流放大作用。对　错

1-13　场效应管的输出电阻的大小是一个变量，在恒流区小，在可变电阻区大。对　错

1－14　结型场效应管的U_GS不能接反，即N沟道U_GS＜0，P沟道U_GS＞0。对　错

1－15　MOS管的栅极不能悬空保存。对　错

1－16　对场效应管的好坏可以用万用表去测量，可以用万用表判断管脚。对　错

1－17　焊接场效应管，应先将三个电极用金属线短路，用电烙铁的余热焊接，焊好后，将短路线折除。对　错

1－18　增强型绝缘栅场效应管不能用自给偏压的方法设置静态工作点。对　错

1－19　结型场效应管没有增强型，只有耗尽型。对　错

1－20　场效应管与晶体三极管一样都是电流器件。对　错

1－21　结型场效应管的栅极外加电压总是与漏极外加电压极性相反才能正常放大。对　错

1－22　场效应管的输入阻抗很高，所以常用来做输入级。
对　错

1－23　场效应管的突出优点是输出电阻特别高。对　错

1－24　结型场效应管的偏置方式有两种：即源极自给偏压式和栅极分压式。对　错

1－25　增强型绝缘栅场效应管可以采用与结型管同样的自给偏压方式。对　错

1－26　耗尽型场效应管不能采用自给偏压方式。对　错

1－27　夹断电压是指漏极电流为零时的栅源电压。
对　错

1－28　增强型场效应管只有开启电压，没有夹断电压。
对错

1－29　场效应管的漏极和源极可以互换使用。对　错

1－30　MOS管都是增强型管。对　错

1－31　N沟道耗尽型场效应管夹断电压为正值。对　错

1－32　P沟道耗尽型场效应管夹断电压为负值。对　错