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第一章 常用半导体器件测试
选择填空
1－1 硅二极管的正向导通电压是 。
A）
0.1V左右；
B） 0.3V左右；
C） 0.4V左右；
D）
0.7V左右。
1－2 锗二极管的正向导通电压是 。
A）0.1V左右；
B）0.3V左右；
C） 0.4V左右；
D）
0.7V左右。
1－3 硅二极管的门限电压是 。
A）
0.1V~0.2V；
B）
0.4V~0.5V；
C）0.6V~0.7V；
D） ＞1V。
1－4 锗二极管的门限电压是 。
A）
0.1V~0.2V；
B）
0.4V~0.5V；
C） 0.6V~0.7V；
D）＞1V。
1－5 温度升高二极管的门限电压将 。
A）
增大；
B） 减小；
C） 不变。
1－6 温度升高二极管的反向电流将 。
A）增大；
B） 减小；
C）不变。
1－7 二极管在反向截止时，反向电压在5V的基础上增加一倍，反向电流将 。
A）
增加一倍；
B） 增加一倍以上；
C） 基本不变。
1－8 二极管在正向工作区，正向电流在10mA的基础上增加一倍，它两端的压降将 。
A）
基本不变；
B） 增加一倍；
C） 略有增加；
D）
压降减小。
1－9 二极管的正向电压在0.6V的基础上增加10%，二极管的电流 。
A）
基本不变；
B） 增加10%；
C）
增加10%以上。
1－10 二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随正向电流增加而 。
A）
增加；
B） 减小。
1－11 二极管直流电阻总是比交流电压 。
A）
大；
B） 小。
1－12 如图（1－12所示电路中，二极管是理想的，电阻R为60Ω，用指针式三用表Rⅹ1档，黑表笔接A点，红表笔接B点，三用表的指示值为 。
A）
180Ω；
B） 90Ω；
C） 30Ω；
D）
20Ω；
E） 0Ω
1－13 如图（1－12所示电路中，二极管是理想的，电阻R为60Ω，用指针式三用表Rⅹ1档，黑表笔接B点，红表笔接A点，三用表的指示值为 。
A）
180Ω；
B） 90Ω；
C） 30Ω；
D）
20Ω；
E） 0Ω；
1－14 如图（1－14
所示电路中，DZ1，DZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，并且有理想特性，输出电压为 。
A）
6V；
B） 7V；
C） 0V；
D）
1V。
1－15 如图（1－15所示电路中，DZ1，DZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，并且有理想特性，输出电压为 。
A）
6V；
B） 7V；
C） 0V；
D）
1V。
1－16 二极管的耐压是指 。
A）
最高反向工作电压；
B） 击穿电压；
C） 整流电压。
1－17 二极管的最高反向工作电压是100V，它的击穿电压是 。
A）
50V；
B） 100V；
C） 150V；
D）
200V。
1－18 二极管在电路中正常工作，测得直流电压为0.6V，直流电流为27mA，此时管子呈现的直流电压和交流电压为 。
A）
直流电阻为3kΩ，交流电阻为3kΩ；
B）
直流电阻为2kΩ，交流电阻为13kΩ；
C）
直流电阻为0.3kΩ，交流电阻为0.3kΩ；
D）
直流电阻为0.3kΩ，交流电阻为13Ω。
1-19 某放大电路正常工作时测得UB＝1.5V，UE＝2.2V，此放大电路所用的管子为 。
A）
NPN；
B） PNP；
C） 不能确定。
1-20 PNP管组成放大电路正常工作的电源应选 。
A）
正电源；
B） 负电源；
C） 两个均可。
1－21 NPN三极管测得：甲管UBE>0，UBE>UCE，乙管UBE>0，UBE
< UCE，丙管 UBE <0，UBE < UCE，
A）
甲管工作在放大区，乙管工作在截止区，丙管工作在饱和区。
B）
甲管工作在饱和区，乙管工作在截止区，丙管工作在放大区。
C）
甲管工作在截止区，乙管工作在放大区，丙管工作在饱和区。
D）
甲管工作在饱和区，乙管工作在放大区，丙管工作在截止区。
1－22 二极管是一种电子开关，它是采用 来控制。
A）
外加高阻；
B） 外加压力；
C） 外加电压；
D）外加温度。
1－23 二极管是 器件。
A）
线性器件；
B） 超导器件；
C） 非线性器件；
D
）铁磁器件。
1－24 晶体管是 器件。
A
）线性器件；
B） 超导器件；
C） 非线性器件；
D）铁磁器件。
1－25 温度升高时，晶体管的UBE 值将。
A
）增大；
B） 减小；
C） 不变。
1－26 晶体管发射结与集电结均加正向电压一定工作在 。
A）
放大区；
B） 截止区；
C） 饱和区。
1－27 晶体管发射结与集电结均加反向电压一定工作在 。
A
）放大区；
B） 截止区；
C） 饱和区。
1－28 晶体管发射结正偏，集电结加反偏电压，此时UCE增大，则 。
A
）IC减小；
B） IC增大；
C） IC基本不变；
D） IC中断。
1－29 晶体管发射结正偏，集电结加反偏电压，此时Ib减小，则 。
A
）IC减小；
B） IC增大；
C） IC基本不变；
D） IC中断。
1－30 晶体管发射结，集电结均加正偏电压，此时UCE增大，则 。
A）IC减小；
B） IC增大；
C） IC基本不变；
D） IC中断。
1－31 稳压二极管在反向击穿区交流电阻比直流电阻 。
A
）大；
B） 小；
C） 差不多。
1－32 N沟道结型场效应管必须在 才有工作电流。
A）
UDS＞0；
B） UDS<UT；
C）
UGS<UGS(off)；
D）
UGS<0
1－33 P沟道结型场效应管必须在 才有工作电流。
A）UDS＜0；
B） UGS＞UP；
C） UGS＜UGS(off)；
D）UGS＞0
1-34 N沟道增强型场效应管必须在 才有工作电流。
A）UDS＞0；
B） UDS＞UT；
C） UGS＞UGS(th)；
D）UGS＞0
1-35 P沟道增强型场效应管必须在 才有工作电流。
A）
UDS＞0；
B） UGS＞0；
C） UGS＜UGS(th)；
D）UDS＜0
1－36 可晶闸管导通以后去掉 极电压，仍然导通。
A）
阳极；
B） 栅极；
C） 阴极。
1－37 晶体管导通以后，去掉基极电压将 。
A）截止；
B）饱和；
C） 仍然导通。
1－38 导通的晶闸管关断必须 。
A）
去掉栅极电压；
B） 减小阳极电压；
C） 减小阳极电压，使电流小于维持电压IH。
1－39 可控整流中，晶闸管的过压保护电路在整流电路 的交流侧。
A）
并联；
B） 串联。
1－40 器件具有负阻效应。
A）
晶体管；
B） 场效应管；
C） 单结晶体管；
D）
晶闸管。
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广州民航职业技术学院通讯工程系
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